*
*


CAPTCHA Image   Reload Image
X

Разработка технологии двухстороннего химико-механического полирования на станке 16В4Р

дипломные работы, промышленность

Объем работы: 100 стр.

Год сдачи: 2002

Стоимость: 5000 руб.

Просмотров: 971

 

Не подходит работа?
Узнай цену на написание.

Оглавление
Введение
Заключение
Заказать работу
Содержание.
стр.
Аннотация………….……………………………………………………….3
Введение……………………………………………….……...……………4
Глава 1. Химико механическое полирование пластин кремния большого диаметра………………………………………………………6
1.1 Факторы и основные показатели процесса химико-
механического полирования……………….………………6
1.2 Анализ технологических особенностей одностороннего
ХМП пластин кремния…………………………..…………..10
1.3 Аналитическое исследование погрешности формы пластин при ХМП…………………………………...…………18

Глава 2. Сравнительные характеристики оборудования для ХМП…………………………………………………………….………….25
2.1 Особенности и недостатки различных схем ХМП пластин кремния…………………………………………..………25
2.2 Методы и оборудование для монтажа пластин кремния…………………………………………………………………...31
2.3 Конструктивные особенности станка 16В4Р…………….43

Глава 3. Разработка технологии одностороннего ХМП пластин кремния на станке 16В4Р……………………………..………………48
3.1 Методика подготовки станка к проведению технологических процессов ХМП……………………………...48
3.2 Выбор схемы обработки и подбор технологических режимов……………………………………………………...………53
3.3 Методика проведения процессов ХМП…………….……..55
3.4 Результаты исследований………………………….………..58

Глава 4. Мероприятия по ПЭБ в процессах механической обработки кремниевых пластин…………………………….……….68
4.1 Опасные и вредные факторы, присутствующие на участке ХМП кремниевых пластин……………………………70
4.2 Мероприятия по устранению воздействия опасных и вредных факторов на персонал……………………………..….72
4.3 Охрана окружающей среды…………………………………75
4.4 Эргономические вопросы при ХМП………………………79
4.5 Расчет освещенности рабочего места……………………..80

Глава 5. Экономическое обоснование эффективности перехода к двухстороннему ХМП пластин Si на станке 16В4Р…….……..84
5.1 Исходные данные для расчета текущих затрат…….…..86
5.2 Расчет показателей экономической эффективности…..91

Выводы…………………………………………………………….……..95
Список литературы…………………………………………………….97
Введение.

Развитие микроэлектроники идет в соответствии с устойчивой тенденцией уменьшения топологических размеров элементов, увеличения степени интеграции и диаметра пластин.
Увеличение диаметра кремниевых пластин, используемых для изготовления СБИС и ССИС и уменьшение топологических размеров элементов явлются важными элементами увеличения производительности и цены изделия, приведенной к одному квадратному сантиметру кристалла. Это достигается за счет увеличения числа кристаллов на пластине.
В то же время, при уменьшении топологических размеров, ужесточаются требования к макрогеометрическим параметрам пластин. Поэтому особое внимание следует уделить одной из важнейших операций в производстве кремниевых пластин химико-механическому полированию (ХМП). Ее важность заключается в том, что всегда при улучшении микрогеометрических параметров пластины происходило ухудшение макрогеометрических параметров, достигнутых при шлифовании.
Используемое сейчас в нашей стране оборудование для операции ХМП работает на пределе своих возможностей. Параметры пластин диаметром 150 мм, которые полируются на нашем оборудовании, уже не удовлетворяют мировым стандартам, а пластин диаметром 200 мм не удовлетворяют даже нашим стандартам.
Таким образом, в связи с растущей потребностью на кремниевые пластины большого диаметра, усовершенствование операции ХМП является одной из проблем, стоящих в данный момент перед отечественными производителями кремниевой промышленности.
В рамках данной работы будет рассмотрен один из путей решения этой проблемы, а именно полирование склеенных между собой в единый блок пластин на станке двухсторонней полировки.
Выводы.

- Наиболее технологичным способом получения качества рабочей поверхности, отвечающего современным техническим требованиям к пластинам кремния большого диаметра, применяемым в производстве СБИС субмикронного уровня, в настоящее время является химико-механическое полирование составами на основе коллоидной поликремнекислоты (золей SiO2).
- При одностороннем ХМП на станках планетарного типа геометрические параметры пластин (разнотолщинность и отклонение поверхности от плоскостности) не устраняются во времени даже при использовании идеально – плоской поверхности инструмента (полировального стола).
- Наилучшие предварительные результаты при полировании пластин Si большого диаметра для СБИС субмикронного уровня получены с применением двухстороннего полирования склеенных между собой в единый пакет пластин. В частности, разнотолщинность пластин, которые обрабатывались при испытании станка, находится в пределах 1.5-2.5 мкм., а неплоскостность в пределах 1-2 мкм. Эти параметры лучше, получаемых при односторонней обработке
- В результате анализа производственных опасностей при работе на участке химико-механического полирования были выявлены опасные и вредные факторы, был также проведен расчет освещенности рабочего места. В результате расчета установлено, что комната удовлетворяет требованиям по освещенности, все соответствует нормам.
- Годовой экономический эффект от перехода к новому оборудованию равен 149500 рублей. Окупаемость внедрённой технологии составит 0,87 года. Внедрение оборудования для двухсторонней обработки пластин можно считать экономически эффективным.

После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.

Работу высылаем в течении суток после поступления денег на счет
ФИО*


E-mail для получения работы *


Телефон


ICQ


Дополнительная информация, вопросы, комментарии:



CAPTCHA Image
Сусловиямиприбретения работы согласен.

 
Добавить страницу в закладки
Отправить ссылку другу