*
*


CAPTCHA Image   Reload Image
X

Исследование влияния полупроводниковой структуры на параметры гетероструктурного полевого транзистора с барьером Шотки

дипломные работы, инженерия, промышленность

Объем работы: 38 стр.

Год сдачи: 2010

Стоимость: 1200 руб.

Просмотров: 860

 

Не подходит работа?
Узнай цену на написание.

Оглавление
Введение
Заключение
Скриншоты
Заказать работу
Введение
1 Полупроводниковые материалы, используемые в современной СВЧ электронике
1.1 Материалы A3B5, используемые в СВЧ электронике
1.2 Полевой транзистор с барьером Шоттки
1.3 Гетероструктуры и приборы на их основе
2. Технология формирования HEMT транзистора на структуре GaAs/AlGaAs/GaAs
3. Параметры гетероструктурного полевого транзистора с барьером Шоттки
3.1 Определение параметров ПТШ и pHEMT
3.2 Методы измерения статических параметров
4 Исследование влияния полупроводниковой структуры на параметры СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки
4.1 Построение модели pHEMT транзистора на основе экспериментальных данных
4.2 Зависимость статических параметров ГПТШ от параметров полупроводниковой структуры
Заключение
Список использованных источников
Приложение А (обязательное)
В настоящее время динамично развивается область СВЧ электроники, связанная с разработкой и созданием сложных приборных структур, реализованных на многослойных гетероэпитаксиальных композициях материалов А3В5. Это стимулирует разработку и выпуск новых классов активных приборов: AlGaAs/GaAs HEMT, AlGaAs/InGaAs pHEMT, AlGaN/GaN HEMT и др. Важнейшие параметры СВЧ транзисторов, зависят как от топологии кристалла и его изготовления, где основную роль играет процесс формирования затвора и его конструкции, так и от параметров исходной полупроводниковой структуры, Вследствие этих факторов существует необходимость в моделировании полевых транзисторов в различных САПР (ISE TCAD, Aim-SPICE, Microwawe Office). Оптимизация параметров полупроводниковой структуры способствует улучшению создаваемого транзистора.По этой причине исследование влияния параметров исходного материала на свойства конечного изделия и возможность предсказания этого влияния на основе моделирования средствами САПР является весьма актуальной и необходимой для разработчика задачей.
Исследование влияния полупроводниковой структуры на параметры СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки показало, что полученные характеристики могут быть улучшены путем дальнейшего совершенствования технологии роста гетерострукруры, в первую очередь, за счет улучшения структурного качества материала, как всей структуры, так и материала канала. Кроме того, улучшение характеристик возможно за счет уменьшения шероховатости гетерограниц, а также путем дополнительной отработки технологии формирования приборной топологии, в частности режимов вжигания омических контактов и перехода на затворы меньшей длины.

После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.

Работу высылаем в течении суток после поступления денег на счет
ФИО*


E-mail для получения работы *


Телефон


ICQ


Дополнительная информация, вопросы, комментарии:



CAPTCHA Image
Сусловиямиприбретения работы согласен.

 
Добавить страницу в закладки
Отправить ссылку другу