*
*


CAPTCHA Image   Reload Image
X

Составления топологии гибридных интегральных микросхем

курсовые работы, Электроника и радиотехника

Объем работы: 15 стр.

Год сдачи: 2009

Стоимость: 1200 руб.

Просмотров: 481

 

Не подходит работа?
Узнай цену на написание.

Оглавление
Введение
Литература
Заказать работу
.1. Введение............................................................................................2
2. Электрический расчет......................................................................5
2.1. Комбинация “0111”..........................................................................6
2.2. Комбинация “0010”..........................................................................8
2.3. Комбинация “1100”..........................................................................9
2.4. Комбинация “1000”........................................................................11
2.5. Расчет мощностей...........................................................................11
3. Технологический расчет................................................................13
4. Заключение.......................................................................................16
5. Литература.......................................................................................16
Введение.
Современный научно-технический прогресс невозможен без радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), которая широко используется как при планировании и управлении производством, так и в автоматизации производственных процессов и в научных исследованиях. Технологии изготовления РЭА постоянно совершенствуются. В развитии радиоэлектронной аппаратуры можно выделить несколько этапов, характеризующих технологии и принципы изготовления РЭА.
Этапы развития РЭА (радио электронной аппаратуры).
1. Навесной монтаж (основные элементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные (полупроводниковые) приборы).
2. Печатный монтаж (особенности: уменьшение габаритов РЭА и повышение ее надежности).
3. Интегральные микросхемы (особенности: непрерывное возрастание сложности, числа элементов, степени интеграции).
Каждый новый этап развития технологии изготовления РЭА не отрицал и не исключал ранее разработанную технологию и ранее применявшиеся элементы РЭА, а дополнял и обогащал ее, обеспечивал качественно новый уровень разработки, изготовления и эксплуатации аппаратуры. Поэтому при решении каждой конкретной задачи при выборе элементной базы и соответствующей ей технологии изготовления радиоэлектронного устройства необходимо учитывать достоинства и недостатки каждого поколения РЭА.
На первом этапе основными элементами РЭА были резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные и позже полупроводниковые приборы. Все эти элементы изготовляли в виде конструктивно законченных деталей, укрепляемых на шасси с помощью опорных поверхностей, а их выводы соединяли соответствующим образом проводниками с помощью пайки. В дальнейшем этот вид монтажа получил название навесного монтажа.
На втором этапе удалось уменьшить габариты РЭА и повысить ее надежность. В ходе развития печатного монтажа: в печатных платах сначала заменили резисторы токоведущими дорожками из материала с большим удельным электрическим сопротивлением, затем конденсаторы - разрывами в...
Литература.
1. В.А Валетов «Основы производства радиоэлектронной аппаратуры» учебное пособие. 2007
2. Интегральные микросхемы http://dssp.karelia.ru/~ivash/ims/t1/introduc.htm#Proec

После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.

Работу высылаем в течении суток после поступления денег на счет
ФИО*


E-mail для получения работы *


Телефон


ICQ


Дополнительная информация, вопросы, комментарии:



CAPTCHA Image
Сусловиямиприбретения работы согласен.

 
Добавить страницу в закладки
Отправить ссылку другу