*
*


CAPTCHA Image   Reload Image
X

Физические основы преобразовательной техники

контрольные работы, Электроника и радиотехника

Объем работы:

Год сдачи: 2012

Стоимость: 400 руб.

Просмотров: 420

 

Не подходит работа?
Узнай цену на написание.

Оглавление
Содержание
Заказать работу
Содержание
Работа 2 Вольтамперные характеристики полупроводникового диода 3
Работа 3 Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная перестройка частоты колебательного контура. 12
Работа 4 Вольтамперные и световые характеристики фотодиода 19
Работа 5 Параметры и статические характеристики МДП транзистора 25
Список литературы 30
Работа 2
Вольтамперные характеристики полупроводникового диода
Исходные данные
- полупроводниковый материал – германий, кремний и арсенид галлия;
- диффузионные длины электронов и дырок Ln и Lp;
- концентрации доноров и эксцепторов ND и NA;
- площадь перехода Sпер;
- сопротивление базы Rб.


Работа 3
Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная перестройка частоты колебательного контура.
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий и арсенид галлия, ди-электрическая проницаемость ε_Ge=16 и ε_GaAs=10,09;
- концентрации доноров и акцепторов ND и NA в см-2 в р- и п - областях перехода;
- площадь перехода Sпер=10-6 м2;
- резонансная частота колебательного контура в МГц;
- эквивалентная индуктивность контура LК в мкГ.


Работа 4
Вольтамперные и световые характеристики фотодиода
Исходные данные
- полупроводниковый материал – германий, кремний и арсенид галлия;
- диффузионные длины электронов и дырок Ln и Lp;
- концентрации доноров и эксцепторов ND и NA;
- площадь перехода Sпер;
- длина волн светового излучения λ, в мкм;
значения интенсивности светового потока в лм.


Работа 5
Параметры и статические характеристики МДП транзистора
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий, кремний и арсенид галлия;
- концентрации акцепторов в подложке NA = 4∙〖10〗^15 в см-3;
- длина L = 0,8 мкм и ширина канала b = 20 мкм, толщина дижлектрика dд=0,5 мкм.
диэлектрическая проницаемость, применяемого в МДП структуре изоля-тора.
- материал изолятора – окись кремния ед = 4.

Работа 5
Параметры и статические характеристики МДП транзистора
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий, кремний и арсенид галлия;
- концентрации акцепторов в подложке NA = 4∙〖10〗^15 в см-3;
- длина L = 0,8 мкм и ширина канала b = 20 мкм, толщина дижлектрика dд=0,5 мкм.
диэлектрическая проницаемость, применяемого в МДП структуре изоля-тора.
- материал...

После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.

Эту работу можно получить в офисе или после поступления денег на счет в течении 30 минут (проверка денег с 12.00 до 18.00 по мск).
ФИО*


E-mail для получения работы *


Телефон


ICQ


Дополнительная информация, вопросы, комментарии:



CAPTCHA Image
Сусловиямиприбретения работы согласен.

 
Добавить страницу в закладки
Отправить ссылку другу