Автогенератор на туннельном диоде

ВВЕДЕНИЕ

Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode) – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
Управляемый источник тока позволяет задавать любое положение рабочей точки на характеристике туннельного диода, что позволяет переводить
мультивибратор управления разверткой из стабильного состояния в режим
самозапуска. Цепь коррекции позволяет изменять длительность импульсов генератора импульсов.
С выхода усилителя напряжения управляющий импульс поступает на вход схемы генератора пилообразного напряжения и через эмиттерный
повторитель на схему формирования блокирующего импульса.
В автоколебательном режиме схема имеет два квазиустойчивых состояния,
длительность каждого из которых определяется времязадающей цепью.
В ждущем режиме схема имеет одно устойчивое состояние, в котором может
находиться неограниченно долго. Под действием короткого запускающего
внешнего импульса схема скачком переходит в квазиустойчивое состояние, а
затем самостоятельно возвращается в исходное состояние, формируя импульс
заданной длительности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения курсового проекта произведён обзор литературы на предмет существующих методов построения схем автогенераторов, была спроектирована схема электрическая принципиальная автогенератора на туннельном диоде, вырабатывающего сигнал частотой 500 кГц и работающего с максимальной выходной мощностью 240 мкВт, что удовлетворяет заданные условия. Обоснован и подтверждён выбор элементной базы.
В процессе проектирования пользовался автоматизированными средствами : AutoCAD 2005, MSOffice.