Основы проектировани ЭВМ и систем

Первой частью нашего курсового проекта является проектирование модуля памяти. Основными факторами, определяющими структуру построения модуля памяти, являются входные и выходные нагрузочные характеристики БИС ЗУ и согласующих схем, а также их временные характеристики.
Нагрузка на согласующие схемы управления модуля памяти, в котором накопитель выполнен на биполярных БИС, определяется входными токами логических 0 и 1 и входными ёмкостями.
Выходные каскады БИС ЗУ могут быть объединены по схеме проводного (монтажного) ИЛИ, так как они, как правило, выполнены по схеме с открытым коллектором или с тремя состояниями. При таком объединении должны соблюдаться требования технических условий на БИС ЗУ по выходным нагрузкам. Необходимо иметь в виду, что БИС ЗУ на МОП-структурах, как правило, строится по схеме с тремя состояниями и имеет высокую ёмкостную нагрузочную способность (С1 100пФ) и малую токовую нагрузку - один вход ТТЛ-схемы. Большинство входных каскадов БИС ЗУ обеспечивает совместимость с ТТЛ-схемами. При несоблюдении этого (например, для ЗУ на p-МОП или КМОП-структурах) применяются специальные согласующие схемы или ТТЛ-схемы с открытым коллектором.
Второй часть курсового проекта является проектирования АЛУ и управляющего устройства для реализации заданной функции.

В данном курсовом проекте разработан блок памяти на 24Кб среднего быстродействия и арифметико – логическое устройство сложения чисел с фиксированной точкой. Для построения памяти и АЛУ использовались методические пособия по построению ОЗУ и устройству процессоров. Блок памяти имеет возможность расширения до 32Кб.