Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом
курсовые работы, Электроника и радиотехника Объем работы: 11 стр. Год сдачи: 1999 Стоимость: 1050 руб. Просмотров: 642 | | |
Оглавление
Введение
Литература
Заказать работу
1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.
В курсовой работе необходимо выполнить:
1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.
2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.
3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.
4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.
1.2. Исходные данные:
1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;
2) тип подожки n;
3) ширина канала Z=5,8 мкм;
4) толщина канала L=1,1 мкм;
5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;
6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;
7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.
2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала.
Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматри-вать как два последовательно включённых конденсатора.
Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость рав-на const и равна С0.
Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт на-личия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров.
Общая ёмкость имеет следующую оценку:
- при Uз
1. Л.Рассадо “Физическая электроника и микроэлектроника”, М. Высшая школа, 1991г.
2. Маллер Д.Б. “Элементы интегральных схем”.
3. Агарханян O.П. “Основы транзисторной электроники”.
4. И.П. Степаненко “Основы транзисторов и транзисторных схем”, М., Энергия, 1973г.
После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.