    Сейчас на сайте: 1 посетителей (1 зарегистрированных, 0 гостей) |   426057681  574055213 |  Партнерам |  Авторам |  Покупателям |
Разработка ГИС
| курсовые работы, Электроника и радиотехника Объем работы: 20 стр. Год сдачи: 1999 Стоимость: 1050 руб. Просмотров: 598 | Не подходит работа? |
Оглавление
Введение
Литература
Заказать работу
Разрабатываемая ИС должна соответствовать общим технологическим требованиям.
Исходные требования:
Максимальная рабочая температура +70С
Минимальная рабочая температура -20С
Время работы ИС 100004
Коэффициент нагрузки резисторов 0.7
Ширина формирующей щели 90 мкм
Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм
Погрешность ширины формирующей щели 5%
Рабочая разность потенциалов на С 10 В
Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2
Погрешность задания линейного размера обкладок 5%
Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%;
R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20%
Исходные требования:
Максимальная рабочая температура +70С
Минимальная рабочая температура -20С
Время работы ИС 100004
Коэффициент нагрузки резисторов 0.7
Ширина формирующей щели 90 мкм
Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм
Погрешность ширины формирующей щели 5%
Рабочая разность потенциалов на С 10 В
Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2
Погрешность задания линейного размера обкладок 5%
Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%;
R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20%
Элементы плёночной технологии.
Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок прово-дящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки.
Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допус-ками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характери-стиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях на-пряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисто-ров, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стан-дартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС.
В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag.
Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, ти-тана, Re и т. д.
Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением мо-ноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5.
Существует несколько способов получения тонких плёнок:
1. Электрическое осаждение;
2. Химическое осаждение;
3. Осаждение пиролитическим разложением;
4. Оплавление порошка стеклообразного материала;
5. Термовакуумное осаждение плёнок;
6. Катодное и ионно-плазменное распыление.
1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983.
2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. – М.: Сов. Радио. 1980.
3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985.
4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. – М.: Радио и связь, 1989.
5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986.
6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. – М.: В.Ш., 1991.
После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.