Разработать на основе тонкоплёночной технологии топологию и технологию изготовления бескорпусной интегральной микросборки, представляющей собой мост Вина с землёй Вагнера.
курсовые работы, Электроника и радиотехника Объем работы: 40 стр. Год сдачи: 2012 Стоимость: 500 руб. Просмотров: 1051 | | |
Оглавление
Введение
Заключение
Заказать работу
Введение .................................................................................................................. 3
1 Анализ технического задания ............................................................................. 6
2 Схемотехнические данные и используемые материалы .................................. 7
2.1 Схема микросборки, электрические и эксплуатационные данные .......... 7
2.2 Материалы, используемые для разработки ИМС ...................................... 8
2.3 Технологические требования и ограничения ............................................. 11
3 Разработка коммутационной схемы соединений .............................................. 13
4 Расчет тонкопленочных элементов микросборки ............................................ 14
4.1 Расчет тонкопленочных резисторов ........................................................... 14
4.2 Расчет пленочных конденсаторов ............................................................... 20
4.3 Расчет пленочных проводников и контактных площадок ИМС .............. 26
5 Разработка топологии ИМС ................................................................................ 30
6 Разработка технологии изготовления микросборки ......................................... 31
Заключение .............................................................................................................. 39
Список использованной литературы .................................................................... 40
Приложение А. Топологическая схема соединений ............................................ 41
Приложение Б. Расположение резисторов на подложке ИМС ........................... 42
Приложение В. Расположение конденсаторов на подложке ИМС .................... 43
Для современного этапа развития интегральной электроники характерны
тенденции дальнейшего повышения рабочих частот и уменьшения времени
переключения, увеличения надежности, снижения затрат на материалы и процесс
изготовления ИС.
Снижение стоимости ИС требует разработки качественно новых принципов их
изготовления с использованием процессов, в основе которых лежат близкие по
характеру физико-химические явления, что, с одной стороны, является
предпосылкой для последующей интеграции однородных технологических операций производственного цикла и, с другой стороны, открывает
принципиальные возможности управления всеми операциями от ЭВМ.
Необходимость качественных изменений в технологии и технического
перевооружения отрасли диктуется также переходом к следующему этапу развития
микроэлектроники — функциональной электронике, в основе которой лежат
оптические, магнитные, поверхностные и плазменные явления, фазовые переходы,
электронно-фононные взаимодействия, эффекты накопления и переноса заряда и др.
Критерием «прогрессивности» технологического процесса наряду с улучшением параметров и характеристик самого изделия является высокая
экономическая эффективность, определяемая рядом частных, взаимосвязанных
критериев, обеспечивающих возможность построения комплектов полностью
автоматизированного высокопроизводительного оборудования с длительным
сроком эксплуатации.
Наиболее важными частными критериями являются:
универсальность, т. е. возможность проведения всего (или
подавляющего числа операций) производственного цикла с помощью одних и тех
же технологических приемов;
непрерывность, являющаяся предпосылкой для последующей интеграции (объединения) целого ряда технологических операций
производственного цикла, сочетаемая с возможностью использования одновременной групповой обработки значительного количества изделий или
полуфабрикатов;
высокая скорость проведения всех основных операций технологического
процесса или же...
В ходе выполнения курсового проектом была спроектирована на основе
тонкопленочной технологии топология и технология изготовления бескорпусной
интегральной микросборки, что представляет собой мост Вина с заземлением
Вагнера.
Результатом анализа технического задания и исходных данных к проекту
стала разработанная коммутационная схема соединений элементов. Далее были
рассчитаны основные характеристики пленочных резисторов, конденсаторов,
подводников и контактных площадок.
После анализа и расчета габаритов была разработана топология
разрабатываемой микросборки, результатом которой стал топологический чертеж, представленный в графической части курсового проекта. Подложка
спроектированного устройства размером 16х20 мм2 содержит две микросборки.
Последний этап курсового проекта – разработка технологии изготовления
микросборки
После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.