Физические основы преобразовательной техники

Работа 2
Вольтамперные характеристики полупроводникового диода
Исходные данные
- полупроводниковый материал – германий, кремний и арсенид галлия;
- диффузионные длины электронов и дырок Ln и Lp;
- концентрации доноров и эксцепторов ND и NA;
- площадь перехода Sпер;
- сопротивление базы Rб.


Работа 3
Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная перестройка частоты колебательного контура.
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий и арсенид галлия, ди-электрическая проницаемость ε_Ge=16 и ε_GaAs=10,09;
- концентрации доноров и акцепторов ND и NA в см-2 в р- и п - областях перехода;
- площадь перехода Sпер=10-6 м2;
- резонансная частота колебательного контура в МГц;
- эквивалентная индуктивность контура LК в мкГ.


Работа 4
Вольтамперные и световые характеристики фотодиода
Исходные данные
- полупроводниковый материал – германий, кремний и арсенид галлия;
- диффузионные длины электронов и дырок Ln и Lp;
- концентрации доноров и эксцепторов ND и NA;
- площадь перехода Sпер;
- длина волн светового излучения λ, в мкм;
значения интенсивности светового потока в лм.


Работа 5
Параметры и статические характеристики МДП транзистора
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий, кремний и арсенид галлия;
- концентрации акцепторов в подложке NA = 4∙〖10〗^15 в см-3;
- длина L = 0,8 мкм и ширина канала b = 20 мкм, толщина дижлектрика dд=0,5 мкм.
диэлектрическая проницаемость, применяемого в МДП структуре изоля-тора.
- материал изолятора – окись кремния ед = 4.

Работа 5
Параметры и статические характеристики МДП транзистора
Исходные данные
- полупроводниковый материал - германий, кремний и арсенид галлия;
- концентрации акцепторов в подложке NA = 4∙〖10〗^15 в см-3;
- длина L = 0,8 мкм и ширина канала b = 20 мкм, толщина дижлектрика dд=0,5 мкм.
диэлектрическая проницаемость, применяемого в МДП структуре изоля-тора.
- материал...