Микроэлектроника

.2 Задание 4.
Следует указать, что среди полевых транзисторов значительно больше разнообразие конструкций кристалла, чем сре¬ди биполярных. Наибольшее распространение в любительских конструкциях и в изделиях промышленного производства получили полевые транзисторы с так на¬зываемым встроенным каналом и р-n переходом. Они неприхотливы в эксплуата¬ции, работают в широких частотных пределах, обладают высоким входным сопротивлением, достигающим на низкой частоте нескольких мегаом, а на сред¬ней и высокой частотах — нескольких десятков или сотен килоом в зависимости от серии. Для сравнения укажем, что биполярные транзисторы имеют значительно меньшее входное сопротивление, обычно близкое к 1...2 кОм, и лишь ступени на составном транзисторе могут иметь большее входное сопротивление. В этом состоит большое преимущество полевых транзисторов перед биполярными. Преимущество МДП-транзисторов перед ПТ с p–n-переходом состоит в более высоком входном сопротивлении, достигающем значений Ом. Кроме того, их сток-затворныехарактеристики обладают большей крутизной (до нескольких десятков миллиампер на вольт).