Определение основных параметров сегнетоэлектрических и антисегнетоэлектрических жидких кристаллов

1.Введение
1.1.Диэлектрики и сегнетоэлектрики.
Хорошо известно, что диэлектрические материалы обладают способностью к электрической поляризации во внешнем электрическом поле. Электрическое поле, действуя на разноименно заряженные частицы, смещает их в противоположных направлениях, вызывая разделение “центров тяжести” положительных и отрицательных зарядов. В ионных кристаллических диэлектриках, например, электрическая поляризация возникает в результате перемещения положительных и отрицательных ионов. При этом искажается распределение их электронной плотности и смещается центр тяжести электронного облака относительно положительно заряженных ядер. В результате каждая элементарная ячейка кристалла приобретает электрический дипольный момент. Чем больше электрическое поле, тем больше поляризация вещества; способность к электрической поляризации характеризуется диэлектрической восприимчивостью, которая определяется как отношение поляризации к вызывающему ее электрическому полю[1].
Сравнительно недавно, в 20-30-х годах прошлого столетия, Дж. Валашек в США, И.В.Курчатов с сотрудниками в СССР, Г.Буш с сотрудниками в Швейцарии показали, что в некоторых ионных кристаллах электрическая поляризация может возникать и существовать спонтанно, т.е. в отсутствие внешнего электрического поля. Это физическое явление было обнаружено впервые в кристаллах сегнетовой соли KNaC4H4O6*4H2O в интервале температур между – 18 и +24 0С и затем – в кристаллах дигидрофосфата калия KH2PO4 (KDP) – при температурах ниже - 1500С. Оказалось, что спонтанно поляризованное состояние исчезает при указанных критических температурах, диэлектрическая восприимчивость в полярной фазе и вблизи этих критических температур достигает огромных значений, на 3 – 4 порядка превышающих обычные значения в неполяризованном состоянии, а ее величина сильно зависит от электрического поля. Кроме того, направление спонтанной электрической поляризации может быть изменено внешним электрическим полем....

7.Литература.
1.Струков Б.А. Сегнетоэлектричество. М.: Наука(1979.).
2.Meyer R.B., Libert L., Strzelecki L., and Keller P., Ferroelectric Liquid Сrystals, ? J. De Phys. Lett., v. 36, p. L-69 ? L-71, (1975).
3. L. A. Beresnev, L. M. Blinov, V. A. Baikalov, E. P. Pozhidaev, A. I. Pavluchenko, G. V. Purvanetskas. Ferroelectricity in tilted smectics doped with optically active additives, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 89, 327- 338, (1982). 4. Reinitzer F., Montash Chem., 9, 421 (1888).
5. D. Demus, J. Goodby, G. W. Gray, H.-W. Spiess, V. Vill. Handbook of Liquid Crystals, vol. 2B, Wiley-VCH, (1998).
6. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. М., Наука, (1993).
7. Р. Блинц, Б. Жекш. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. - М., Мир, 1975.
8. N. A. Clark, S.T. Lagerwall. Submicrosecond bistable electro-optic switching in liquid crystals, Appl.Phys.Lett., 36 (11), pp.899-901, (1980).
9. A. Fukuda, Y. Takanishi, T. Izozaki, K. Ishikawa, H. Takezoe. J. Mater. Chem., 4, 997-1006, (1994).
10. N. Hiji, A. D. J. Chandani, S. Nishijama, Y. Ouchi, H. Takezoe, A. Fukuda. Antiferroelectric properties of liquid crystals, Ferroelectrics, 85, 99-107 (1988).
11. Б. И. Островский, А. З. Рабинович, А. С. Сонин, Б. А. Струков. Диэлектрические свойства геликоидального смектического жидкого кристалла, - ЖЭТФ, 74, с. 1748-1759, (1978).
12. С. А. Пикин, В. Л. Инденбом. Термодинамические состояния и симметрия жидких кристаллов, УФН, 125, 251-277, (1978).
13. С. А. Пикин. Структурные превращения в жидких кристаллах. - М., Наука, 1981.
14. Л. М. Блинов. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. - М., Наука, 1978.
15. Де Жен П. Физика жидких кристаллов, М, Мир, (1977).
16. S. A. Pikin. Structural transformations in liquid crystals, New York, NY: Gordon &Breach, (1991).
17. D. Demus. Textures of liquid crystals. - Wiss. Z. Univ. Halle, s. 25-40, (1979).
18. P. G. De Gennes. Sur la transition smectique A - smectique C, C. R. Acad. Sci. Paris, 274, serie B, 758-760,...