    Сейчас на сайте: 1 посетителей (1 зарегистрированных, 0 гостей) |   426057681  574055213 |  Партнерам |  Авторам |  Покупателям |
Анализ и моделирование биполярных транзисторов
| курсовые работы, Электроника и радиотехника Объем работы: 50 стр Год сдачи: 2005 Стоимость: 300 руб. Просмотров: 929 | Не подходит работа? |
Оглавление
Введение
Заключение
Заказать работу
1. Задание.
2. Введение.
3. Технология изготовления биполярного транзистора КТ 503.
4. Анализ процессов в биполярном транзисторе.
5. Статические характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором.
6. Анализ эквивалентнах схем биполярного транзистора.
7. h – параметры биполярного транзистора.
8. Работа биполярного транзистора на высоких частотах.
9. Работа биполярного транзистора в импульсном режиме.
10. Математическая модель биполярного транзистора.
11. Измерение параметров биполярного транзистора.
12. Основные параметры биполярного транзистора.
13. Применение биполярных транзисторов в электронных схемах .
14. Литература.
2. Введение.
3. Технология изготовления биполярного транзистора КТ 503.
4. Анализ процессов в биполярном транзисторе.
5. Статические характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором.
6. Анализ эквивалентнах схем биполярного транзистора.
7. h – параметры биполярного транзистора.
8. Работа биполярного транзистора на высоких частотах.
9. Работа биполярного транзистора в импульсном режиме.
10. Математическая модель биполярного транзистора.
11. Измерение параметров биполярного транзистора.
12. Основные параметры биполярного транзистора.
13. Применение биполярных транзисторов в электронных схемах .
14. Литература.
2. Введение.
Историческая справка.
Объем исследований по физике твердого тела нарастал с 1930-х годов, а в 1948 было сообщено об изобретении транзистора. За созданием транзистора последовал необычайный расцвет науки и техники. Был дан толчок исследованиям в области выращивания кристаллов, диффузии в твердом теле, физики поверхности и во многих других областях. Были разработаны разные типы транзисторов, среди которых можно назвать точечный германиевый и кремниевый с выращенными переходами, полевой транзистор (ПТ) и транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник (МОП-транзистор). Были созданы также устройства на основе интерметаллических соединений элементов третьего и пятого столбцов периодической системы Менделеева; примером может служить арсенид галлия. Наиболее распространены планарные кремниевые, полевые и кремниевые МОП-транзисторы. Широко применяются также такие разновидности транзистора, как триодные тиристоры и симисторы, которые играют важную роль в технике коммутации и регулировании сильных токов.
В 1954 было произведено немногим более 1 млн. транзисторов. Сейчас эту цифру невозможно даже указать. Первоначально транзисторы стоили очень дорого. Сегодня транзисторные устройства для обработки сигнала можно купить за несколько центов.
Без транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и компьютерных аппаратурах.
Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух остриёв (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждое остриё образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать напряжение прямой полярности, а между коллектором и базой - обратной полярности, то оказывается, что величина...
Историческая справка.
Объем исследований по физике твердого тела нарастал с 1930-х годов, а в 1948 было сообщено об изобретении транзистора. За созданием транзистора последовал необычайный расцвет науки и техники. Был дан толчок исследованиям в области выращивания кристаллов, диффузии в твердом теле, физики поверхности и во многих других областях. Были разработаны разные типы транзисторов, среди которых можно назвать точечный германиевый и кремниевый с выращенными переходами, полевой транзистор (ПТ) и транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник (МОП-транзистор). Были созданы также устройства на основе интерметаллических соединений элементов третьего и пятого столбцов периодической системы Менделеева; примером может служить арсенид галлия. Наиболее распространены планарные кремниевые, полевые и кремниевые МОП-транзисторы. Широко применяются также такие разновидности транзистора, как триодные тиристоры и симисторы, которые играют важную роль в технике коммутации и регулировании сильных токов.
В 1954 было произведено немногим более 1 млн. транзисторов. Сейчас эту цифру невозможно даже указать. Первоначально транзисторы стоили очень дорого. Сегодня транзисторные устройства для обработки сигнала можно купить за несколько центов.
Без транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и компьютерных аппаратурах.
Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух остриёв (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждое остриё образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать напряжение прямой полярности, а между коллектором и базой - обратной полярности, то оказывается, что величина...
Электрические параметры транзистора КТ503А.
1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.. Uкэн ………… не более 0,6 В.
2. Напряжение насыщения база-эмиттер………Uбэн…………. .не более 1,2 В.
3. Статический коэффициент предачи тока в
схеме с общим эмиттером ……………………..h21э………… ..40—120.
4. Ёмкость коллекторного перехода ……………..Ск………… …не более 20 пф.
5. Ёмкость эмиттерного перехода………………...Сэ…………….не более 100 ф.
6. Обратный ток коллектора………………………Iкб0…………...не более 1 мкА.
7. Граничная частота усиления……………………fгр……………не менее 5 МГц.
8. Общее тепловое сопротивление………………..Rтп………… 214 С / Вт.
Предельно допустимые эксплуатационные параметры
транзистора КТ503А
1. Максимально допустимое напряжение
коллектор-база………………………… ………..Uкб0………….40 В.
2. Максимально допустимое импульсное
напряжение коллектор- эмиттер………………..Uкэ и max……25 В.
3. Максимально допустимый постоянный
ток коллектора………………………………..….Iк max……….150 мА.
4. Максимально допустимый ток базы. …………Iб max……….100 мА.
5. Максимально допустимый импульсный
ток коллектора…………………………………...Iк и max……..350 мА.
6. Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора …………….Рк max……...0,35 Вт.
7. Максимально допустимая рабочая температура окружающей среды…………… …Тmax…………..+100 С.8.
Максимально допустимая минимальная температура окружающей среды………………...Тmin…………...- 40 С.
1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.. Uкэн ………… не более 0,6 В.
2. Напряжение насыщения база-эмиттер………Uбэн…………. .не более 1,2 В.
3. Статический коэффициент предачи тока в
схеме с общим эмиттером ……………………..h21э………… ..40—120.
4. Ёмкость коллекторного перехода ……………..Ск………… …не более 20 пф.
5. Ёмкость эмиттерного перехода………………...Сэ…………….не более 100 ф.
6. Обратный ток коллектора………………………Iкб0…………...не более 1 мкА.
7. Граничная частота усиления……………………fгр……………не менее 5 МГц.
8. Общее тепловое сопротивление………………..Rтп………… 214 С / Вт.
Предельно допустимые эксплуатационные параметры
транзистора КТ503А
1. Максимально допустимое напряжение
коллектор-база………………………… ………..Uкб0………….40 В.
2. Максимально допустимое импульсное
напряжение коллектор- эмиттер………………..Uкэ и max……25 В.
3. Максимально допустимый постоянный
ток коллектора………………………………..….Iк max……….150 мА.
4. Максимально допустимый ток базы. …………Iб max……….100 мА.
5. Максимально допустимый импульсный
ток коллектора…………………………………...Iк и max……..350 мА.
6. Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора …………….Рк max……...0,35 Вт.
7. Максимально допустимая рабочая температура окружающей среды…………… …Тmax…………..+100 С.8.
Максимально допустимая минимальная температура окружающей среды………………...Тmin…………...- 40 С.
После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.